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BJT双极性晶体管
1.1 BJT共射特性曲线
输入特性：
iB = f(uBE)|Uce=C 定量分析，确定只有一个变量
输出特性
放大区：发射结正偏，集电结反偏
截至区：双结反偏 CE断路
饱和区：双结正偏 UCEs=0.3 CE类似于开关闭合。βIB>ICmax
饱和压降是UCE达到最小的值。
ICmax = VCC-0.3（UCE）/RC
判断βIB是否大于ICmax
1.2三极管的主要参数
从图中看集电极电流，UCE及功率都会对三极管寿命产生影响
1.3温度影响
温度越高，开启电压需要减小。
β和穿透电流ICEO受影响
场效应管（FET）靠电场效应
输入电流小，功率低，输入电阻极大
只存在多子导电，受温度影响小。（温度对少子影响较大）
2.1 结型场效应管
不加电压跟耗尽型差不都，自带沟道
加反压 ，耗尽层变宽
uds通电，PN结反偏 ，上部分逐渐呈现夹断状态
2.2 耗尽型场效应管
天生存在沟道
2.3 绝缘栅型场效应管（MOSFET）
g栅集（控制集）s源极 d 漏极
g集趴在玻璃上，绝缘，功耗小
箭头方向是PN结方向
d和s之间不加电压，加uGS
电场向下， 把空穴挤走了
把自由电子吸上了，构成反型层 ，后成自由电子沟道，形成N沟道
得到一个用电压控制的可变电阻器
uGS决定RDS
uGS（th）开启电压，大于阈值沟道形成。
uGS与uDS是相反的电场
uGS不变大于阈值 uGS-uDS=uGS（th）预夹断
2.4 场效应管的特性曲线
有个导通电压
构成放大电路思路：
三极管，工作在放大区，小交流加在大直流上。
场效应管，放在恒流区，Ugs产生id的变化
结型要么全正要么全负
耗尽型是自带沟道
绝缘栅需要大于开启电压Ugs（th）
